以色列半導(dǎo)體存儲器開發(fā)商Weebit Nano Ltd表示，該公司正在將其嵌入式電阻隨機(jī)存取存儲器（ReRAM）技術(shù)擴(kuò)展到22nm FD-SOI。
據(jù)eeNews報(bào)道，Weebit正在與CEA-Leti研究所合作設(shè)計(jì)內(nèi)存模塊，其中包括一個(gè)萬兆位的ReRAM塊，目標(biāo)是22nm FD-SOI工藝。2021年，Weebit在12英寸晶圓上采用28nm FD-SOI工藝技術(shù)測試了可用的1Mbit ream陣列。
格芯在德國德累斯頓的這個(gè)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)擁有一個(gè)批量FDSOI工藝——22FDX。在閃存無法有效擴(kuò)展到28nm以下的背景下，這為新興的非易失性存儲技術(shù)提供了擴(kuò)展到更高級節(jié)點(diǎn)的機(jī)會。
與此同時(shí)，嵌入式閃存預(yù)計(jì)不會擴(kuò)展到22nm，這為Weebit提供了機(jī)會，不過相變存儲器、磁性RAM和金屬氧化物ReRAMs也在開發(fā)中，以擴(kuò)展到這些節(jié)點(diǎn)。
Weebit Nano的首席執(zhí)行官Coby Hanoch在一份聲明中表示，“我們繼續(xù)將Weebit的內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到更小的幾何結(jié)構(gòu)，為物聯(lián)網(wǎng)、5G和人工智能等應(yīng)用提供服務(wù)，這推動(dòng)了在嵌入式閃存不再是現(xiàn)實(shí)選擇的制程節(jié)點(diǎn)中，對新型非易失性內(nèi)存的需求。”
CEA Leti硅組件部門主管Olivier Faynot則在該聲明中指出，“將ReRAM技術(shù)與FD-SOI結(jié)合在一起，對于低功耗嵌入式設(shè)備來說是一個(gè)巨大的希望，它們需要一種新型的非易失性存儲器，并將受益于其效率和魯棒性（robust，即在異常和危險(xiǎn)情況下系統(tǒng)生存的能力）。”
